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  这种效应可在磁性穿遂接面(MTJ)或自旋阀中来实现,STT-MRAM元件使用的是STT-MTJ,透过使电流通过薄磁层产生自旋极化电流。然后将该电流导入较薄的磁层,经由该磁层将角动量传递给薄磁层,进而改变其旋转。一般常规STT-MRAM结构使用平面MTJ(或称为iMTJ)。有些STT-MRAM元件则使用称为垂直MTJ(pMTJ)的***化结构,这种结构中磁矩垂直于矽基板的表面。与iMTJSTT-MRAM相较之下,垂直STT-MRAM不仅更具可扩展性,并且也更具有成本竞争力。因此,pMTJ结构的STT-MRAM将是未来替代DRAM和其他储存技术的更佳方案。MRAM具有旋转的特性,电子的旋转透过施加的电流来改变其方向。对高通TWS芯片的应用带动会有较为明显的效果。高通骁龙平台从最早的骁龙845开始,到后续的骁龙骁龙骁龙骁龙骁龙730/730G,都开始支持TWS+技术。在ChrisHavell看来,高通将TWS+技术拓展至了许多的手机层级,要想在市场上推广这项新的技术,也需要高通这样跨层级芯片的技术能力,这也是我们在过去的18个月里努力的方向。现阶段,TWS耳机的应用场景主要搭配智能手机使用。虽然,今年以来,全球智能手机出货量虽有所下降,但随着全球5G网络建设的持续推进,5G手机出货量将迅猛增长,并成为提振智能手机出货量的重要动力。随着越来越多的手机平台开始支持TWS+这个技术。所以,现在来看,全球前五的头部品牌中,OPPO和小米将会继续成为高通的重要客户。高通方面称明年将推出支持SA/NSA的通5G芯片。按照OPPO副总裁沈义人的说法,将会在OPPO的产品上。在5G芯片方面,vivo将会同时选择三星和高通这两个合作伙伴。其中高端旗舰机型采用高通芯片,而中低端产品则会应用三星的芯片。据高通透露,目前,全球12家OEM厂商与品牌,包括OPPO、realme、Redmi、vivo、摩托罗拉、HMDGlobal以及LG电子,计划在其未来5G移动终端上采用全新骁龙7系5G集成式移动平台。可见,进入5G时代后,虽然华为在芯片研发上进展较快,一定程度上威胁了高通的领先地位,但高通至今仍在中低端价位市场上保有强大控制力。gjkkljhjfllajlm运达电子回收

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